中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

    • MICRON DDR3 SDRAM

    发布时间：2021-06-22 17:11:18     浏览：4070

    MICRON DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的带宽。除了优良的性能指标外，MICRON DDR3还具备较低的工作电压范围。其结果可能是在消耗相同或更少的系统功率的同时，具有更高的带宽。

    特征

    宽度：x8, x16；

    电压：1.35V，1.5V；

    封装：FBGA；

    时钟频率：933 MHz，1066 MHz；

    操作温度：0℃至+95℃、-40℃C至+95℃、-40℃至+105℃、-40℃至+125℃；

    深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司，以库存MICRON高可靠性内存颗粒芯片和工业级内存条为特色产品优势。欢迎咨询合作。

    详情了解MICRON请点击：/brand/54.html

    或联系我们的销售工程师：0755-83050846   QQ: 3312069749

     MICRON.png

    零件号

    MT41J128M16JT-093

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.5V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41J128M16JT-107G

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.5V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41J128M16JT-125

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.5V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41J256M8DA-125

    密度：2Gb

    深度：256Mb

    宽度：x8

    电压：1.5V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41J64M16TW-093

    密度：1Gb

    深度：64Mb

    宽度：x16

    电压：1.5V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K128M16JT-107

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K128M16JT-107 AAT

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +105℃

     

    MT41K128M16JT-107 IT

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +95℃

     

    MT41K128M16JT-125

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K128M16JT-125 AAT

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +105℃

     

    MT41K128M16JT-125 AIT

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +95℃

     

    MT41K128M16JT-125 AUT

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +125℃

     

    MT41K128M16JT-125 IT

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +95℃

     

    MT41K128M16JT-125 M

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K128M16JT-125 XIT

    密度：2Gb

    深度：128Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +95℃

     

    MT41K128M8DA-107

    密度：1Gb

    深度：128Mb

    宽度：x8

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K128M8DA-107 IT

    密度：1Gb

    深度：128Mb

    宽度：x8

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +95℃

     

    MT41K1G8SN-107

    密度：8Gb

    深度：1Gb

    宽度：x8

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K1G8SN-125

    密度：8Gb

    深度：1Gb

    宽度：x8

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K256M16TW-093

    密度：4GB

    深度：256Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K256M16TW-107

    密度：4GB

    深度：256Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：0℃至+95℃

     

    MT41K256M16TW-107 AAT

    密度：4GB

    深度：256Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +105℃

     

    MT41K256M16TW-107 AIT

    密度：4GB

    深度：256Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +95℃

     

    MT41K256M16TW-107 AUT

    密度：4GB

    深度：256Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +125℃

     

    MT41K256M16TW-107 IT

    密度：4GB

    深度：256Mb

    宽度：x16

    电压：1.35V

    操作温度：-40℃ 至 +95℃

    推荐资讯

    • MTI-Milliren 405系列TCXO温补晶振
      MTI-Milliren 405系列TCXO温补晶振 2024-03-26 09:52:04

      MTI-Milliren? 405系列TCXO是一款高性能的温度补偿晶体振荡器，专为电气频率调节而设计。　　该系列TCXO具备多项显著特点，首先是符合RoHS标准，在宽温度范围内具有严格的稳定性。其次，其体积小巧、外形扁平、重量轻、功耗低，按照工业标准尺寸，采用无引线芯片载体 (LCC) 超小型封装。

    • MICRON低功耗DDR5 DRAM，专为5G和AI设计
      MICRON低功耗DDR5 DRAM，专为5G和AI设计 2021-05-20 17:19:17

      MICRON?的低功耗DRAM（LPDRAM）产品组件具备低功耗、性能卓越、密度高和宽温度范围的选择，能够协助用户从性能卓越智能手机和其它智能产品中收获最大化利益。新型MICRONLPDDR5DRAM具备优秀的功效和更快的数据信息访问速度，这针对智能化AI和5g功能极为重要。MICRON的LPDDR5满足最新的的JEDEC规范。与前几代产品相比较，数据信息访问速度提升了50%，功效提升了20%以上。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】