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  • Solitron Devices1200V/120A碳化硅电源�？�

    发布时间：2023-11-14 08:43:27     浏览：2897

    　　Solitron Devices 推出 的SD11911 和 SD11912 1200V 碳化硅 (SiC) 电源�？�。两款模块均具有两个独立的大电流MOSFET。

    　　Solitron 功率�？椴捎枚捞�、坚固且经济高效的封装形式，最大限度地发挥了 SiC 的优势。37mm x 25mm x 9mm 的外形尺寸和重量仅为竞争�？榈囊恍〔糠帧＜筛袷娇勺畲笙薅鹊靥岣吖β拭芏龋蓖ü排渲媒仿返绺薪抵磷畹停佣迪旨虻サ牡缭醋芟�。

    　　SD11911 和 SD11912 提供两种独立的 MOSFET 配置。该SD11911包括两个 1200V、超低 RDS(开)8.6mΩ SiC MOSFET，而SD11912有两个 13mΩ MOSFET。引脚配置将电源总线与栅极和源控制分开，以简化电路板布局。独立输出为定制配置提供了最大的灵活性，例如半桥、全桥、H 桥和许多其他拓扑结构。两款器件均具有 120A 的连续漏极电流。两个�？槎技闪艘桓鯪TC温度传感器。

    　　SD11911 和 SD11912 专为要求苛刻的应用而设计，例如基于航空电子设备的机电执行器、工业高效电源转换器/逆变器和电机驱动器。工作温度为 -55°C 至 175°C，结构包括铜基板和氮化铝绝缘体，确保 TCE 匹配和高热传递。隔离式集成温度检测可实现高电平温度保护。与同类最佳的硅MOSFET和IGBT相比，碳化硅具有出色的开关性能，并且随温度的变化最小。由于能量损耗显著降低，因此实现了比硅更高的效率水平，反向充电导致更多的开关功率和更少的能量在接通和关断阶段所需的能量。结合高开关频率，这意味着更小的磁性元件，大大减轻了系统的重量和尺寸。

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    　　特点和优点：

    　　?优异的系统效率，由于低开关和传导损失的sic

    　　?卓越的功率转换效率在高频操作

    　　?高速开关w /低电容

    　　?减少寄生电感和电容

    　　?真正的开尔文源连接稳定栅极驱动

    　　?隔离的背面直接安装到散热器

    　　?铝基板和铜基板的导热性

    　　?高结温操作

    　　?低结壳热阻

    　　?降低热需求和系统成本

    　　?集成NTC温度传感器

    　　?坚固的安装由于集成安装衬套

    　　?低调紧凑的包装

    　　关于Solitron Devices

    　　Solitron Devices 总部位于美国佛罗里达州西棕榈滩，为需要极致性能和可靠性的系统制造功率半导体和集成电源解决方案。航空航天、国防、工业和航天领域的客户依靠Solitron的创新产品来开发更小、更轻的重量;更高效率的系统级电源解决方案。

    　　Solitron通过了 MIL-PRF-19500 和 MIL-PRF-38534 认证，提供各种标准 QPL 双极晶体管和 JFET。Solitron 的高功率多芯片模块将最新的硅、碳化硅和氮化镓与先进的封装材料相结合，以实现尖端的功率密度和性能。能力包括标准和定制解决方案，提供行业领先的质量、服务和支持。 


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