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Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P沟道JFET

发布时间：2024-05-21 09:31:52     浏览：2001

Solitron 2N5114/2N5115/2N5116 P沟道JFET

　　2N5114/2N5115/2N5116是P沟道JFET晶体管，在应用中具有以下特点和规格：

　　- 封装：T0-18

　　- 最大反向栅极源极电压(Vgss)：30V

　　- 最大栅极电流(Igs)：-90mA(2N5114)、-60mA(2N5115)、-25mA(2N5116)

　　- 漏源电阻(RDS(on))：75Ω(2N5114)、100Ω(2N5115)、175Ω(2N5116)

　　- 符合JAN/JANTX/JANTXV标准

　　- 符合MIL-PRF-19500/476F标准

　　- 低导通电阻

　　- 可直接从TTL逻辑或CMOS切换

　　- 高关断隔离

　　- 提供S级等效筛选选项

　　- 重量轻

　　- MicroSemi的第二来源

规格参数：

   Part Number    Package      19500/        Breakdown Voltage       Current        R
                                                                                   150N
2N5114TO-1847630V-90mA75Ω
2N5115TO-1847630V-60mA1002
2N5116TO-1847630V25mA175g
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Gate-Source Voltage30VStorage Temperature65 to 200℃
Gate Current50mAOperating Junction Temperature-65 to 200℃
Lead Temperature
1/16 from case,10 sec		300℃Power Dissipation
Derating		500mM
3mW°C@T=25℃

订购信息：

JAN2N5115 JANTX2N5115JANTXV2N5115
JAN2N5116JANTX2N5116JANTXV2N5116

　　这些晶体管适用于需要反相开关或“虚拟接地”开关进入运算放大器的反相输入的场合，可处理±10VAC信号，无需驱动器，仅需+5V逻辑(TTL或CMOS)。在工作时请注意绝对最大额定值，如栅极-源极电压、存储温度、栅极电流、工作结温、引线温度、功耗。


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