中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

    • Linear Systems 3N165/3N166单片双P通道MOSFET

    发布时间：2024-08-05 09:13:13     浏览：732

    Linear Systems 3N165/3N166单片双P通道MOSFET

    　　Linear Systems 3N165和3N166是单片双P通道增强型MOSFET，具有以下特点和应用优势：

    　　主要特点

    　　高输入阻抗：这使得它们非常适合需要高阻抗输入的应用，减少了对前级电路的影响。

    　　高栅极击穿电压：允许在更高的电压下工作，增强了器件的可靠性和适用范围。

    　　超低泄漏电流：在关闭状态下几乎不消耗电流，这对于低功耗和精密测量应用至关重要。

    　　低电容：有助于减少信号延迟和失真，提高信号处理的精确度。

    　　应用场景

    　　模拟信号处理：由于其高输入阻抗和低泄漏特性，非常适合用于放大器、滤波器和其他模拟信号处理电路。

    　　精密测量仪器：在需要高精度测量和低噪声的环境中，这些MOSFET可以提供稳定和可靠的性能。

    　　高电压操作：在需要处理高电压信号的应用中，如电源管理和电压转换器，这些器件可以安全可靠地工作。

    　　封装和引脚配置

    　　SOIC封装：适合表面贴装技术，便于自动化生产。

    　　- 引脚配置：NC, G2, G1, D1, Body, D2, NC

    　　TO-99封装：传统的通孔封装，适用于需要更高散热能力的应用。

    　　- 引脚配置：Case & Body, G2, G1, S1 & S2, D1, NC, D2, NC

    规格参数：

       ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃ and Ves=0 unless otherwise noted)
    SYMBOLCHARACTERISTIC3N165 &
    3N166    		LS3N165 &
    LS3N166    		UNITSCONDITIONS
    MINMAXMINMAX
    IGs5RGate Reverse Leakage Current
    		10 
    		100 pAVGs=40V
    lcssFGate Forward Leakage Current
    		-10 
    		100 Vgs=-40V

    		25 

    		TA=+125℃
    pssDrain to Source Leakage Current
    		200 
    		200 Vos=-20V,Vgs=Ves=0V
    IsDsSource to Drain Leakage Current
    		400 
    		400 Vso=-20V,VGp=VDB=0V
    D(on)On Drain Current-5 30 -5 -30 mAVos=-15V VGs=-10V Vss=0V
    VosohGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=-15V lo=-10μA  Vsg=0V
    VGsmGate Source Threshold Voltage-2 -5 -2 -5 VVos=Vgs  lo=-10μA Vsa=0V
    Ds(onDrain Source ON Resistance
    		300 
    		300 ohmsVgs=-20V lo=-100μA Vsa=0V
    gisForwardTransconductance1500 3000 1500 3000 μSVos=-15V lo=-10mA f=1kHz
              Vse=0V
    gosOutput Admittance
    		300 
    		300 μS
    CsInput Capacitance
    		3.0 
    		3.0 pF
    Vos=-15V lo=-10mA f=1MHz
    (NOTE  3)Vsa=0V
    CssReverse Transfer Capacitance
    		0.7 
    		1.0 
    CossOutput Capacitance
    		3.0 
    		3.0 
    RE(Ys)Common Source Forward
    Transconductance    		1200 


    		μSVos=-15V lo=-10mA f=100MHz
    (NOTE  3)Vsa=0V

    　　Linear Systems 3N165和3N166单片双P通道MOSFET因其高输入阻抗、高栅极击穿电压、超低泄漏电流和低电容特性，在模拟信号处理和精密测量领域中表现出色。无论是SOIC还是TO-99封装，都提供了灵活的选择，以适应不同的设计和生产需求。

    相关推荐：

    JFET双通道放大器Linear Systems 

    JFET单通道放大器Linear Systems 

    新葡萄AMG创展优势代理Linear Systems产品，价格优惠，欢迎咨询。

    推荐资讯

    • Infineon英飞凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1�？�
      Infineon英飞凌FF23MR12W1M1PB11BPSA1�？� 2024-04-07 09:38:34

      Infineon英飞凌?FF23MR12W1M1PB11BPSA1是一款EasyDUAL�？椋捎昧薎nfineon公司的CoolSiCTM技术的Trench MOSFET，并且结合了PressFIT/NTC/TIM技术。这款�？榫哂幸幌盗性ど璧氖荩渲蠽ds(最大漏源电压)为1200V，ID nom(标称电流)为50A，最大电流Imax可达100A。

    • SD11803高温1200V碳化硅肖特基二极管Solitron
      SD11803高温1200V碳化硅肖特基二极管Solitron 2023-12-27 09:47:28

      solitron SD11803是一款 1200V、10A 碳化硅 (SiC) 二极管，采用行业标准 3 引脚 TO-258 密封封装，适用于军事和高可靠性项目。SD11803非常适合极端环境应用，工作温度范围高达 -55°C 至 200°C。 由于反向恢复几乎为零和正向压降低，SD11803具有极低的开关损耗，非常适合尺寸、重量和尽可能高的效率至关重要的航空航天和军事系统。高导热性允许开关和热特性变化很�。垢眉际醭晌窳雍透呶孪低车睦硐胙≡�。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】