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Solitron碳化硅电源�？�

发布时间：2024-10-28 08:58:35     浏览：1946

　　Solitron公司生产的一系列基于硅碳化物(SiC)半导体的功率�？椤Ｕ庑┠？樯杓朴糜谔岣叩缭从τ玫南低承�、尺寸、重量、外形尺寸和工作温度范围。

Solitron碳化硅电源�？�

　　关键特性：

　　1. 零正向和反向恢复：意味着这些�？樵诳厥彼鸷姆浅５汀�

　　2. 温度独立开关行为：模块的性能不会随着温度变化而变化。

　　3. 非常低的杂散电感：这对于SiC MOSFETs的全速开关至关重要。

　　4. ALN基板：用于提高硅碳化物MOSFETs的热导率，从而实现更好的系统热性能、更低的开关损耗和更高的可靠性。

　　5. 内部热敏电阻：用于温度监测。

　　产品系列：

　　半桥�？椋赫庑┠？榫哂蟹浅５偷脑由⒌绺校屎细咚倏�。

　　全桥�？�：提供高密度的功率转换解决方案。

　　PowerMOD系列：应用特定功率�？椋没Э梢匝≡癫煌牡缏放渲煤头庾把∠睿宰罴训厥视μ囟ㄓτ谩�

　　应用领域：

　　开关模式电源

　　逆变器

　　电池充电器

　　执行器和电机控制应用

　　产品规格：

Device TypeType NumberVolltageContinuous
Current		RsmTemperature
  Range		Recovery
Diodes		Package
Half BridgeSD114871200V95A12mQ-55℃to 175℃Yes6x6
Half BridgeSD119021200V50A32mg-55℃to 175℃Yes3x6B
Half BridgeSD119031200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6A
Half BridgeSD119041200V50A32mo-55℃to 175℃Yes3x6A
Half BridgeSD119051200V50A32mg-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD119061200V105A13mo-55℃to 175℃Yes3x6B
HalfBridgeSD119561200V105A13mg-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD119071200V105A13mo-55℃to175℃Yes3x6B
Half BridgeSD119571200V105A13mQ-55℃to 175℃No3x6B
Half BridgeSD11908650V50A7mo-55℃to 175℃Yes3x6B
HalfBridgeSD119101200V50A8mg-55℃to 175℃Yes3x6B
Dual MOSFETSD11911*1200V50A8.6mQ-55℃to 175℃Yes4x6
Dual MOSFETSD11912*1200V105A13mo-55℃to 175℃Yes4x6
Full BridgeSD11915*1200V40A32mo-55℃to 175℃Yes4x10


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