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IRLML6401TRPBF：12V单通道P沟道功率MOSFET

发布时间：2024-11-08 09:15:26     浏览：1201

IRLML6401TRPBF：12V单通道P沟道功率MOSFET

　　IRLML6401TRPBF是由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET，采用微型3(SOT-23)封装，是专为低功耗和低频率应用设计的高效能半导体器件。以下是该产品的详细特点和优势：

　　产品特点：

　　平面单元结构：提供宽广的安全工作区域(SOA)，增强了器件的可靠性和耐用性。

　　广泛可用性：针对分销合作伙伴优化，确保了产品的可获得性。

　　JEDEC标准认证：按照电子行业标准进行产品认证，保证了产品的质量和一致性。

　　硅片优化：特别优化用于低于100kHz的开关应用，确保了在低频条件下的高性能。

　　行业标准封装：采用行业标准的表面贴装封装，便于自动化装配和设计替换。

　　产品优势：

　　增强的鲁棒性：设计上注重提高器件的耐用性和可靠性。

　　广泛的分销网络：确保了产品的广泛可获得性。

　　行业标准的认证：提供了符合行业标准的认证水平。

　　低频应用中的高性能：在低频开关应用中表现出色。

　　直接替换能力：标准的引脚排列允许直接替换其他兼容器件。

　　潜在应用：

　　DC开关：适用于直流电路中的开关控制。

　　负载开关：用于控制电气负载的开启和关闭。

　　技术规格：

　　最大漏极电流(@25°C)：-4.3 A

　　潮湿敏感度等级：1级

　　安装类型：表面贴装(SMD)

　　最大功耗(@TA=25°C)：1.3 W

　　封装类型：SOT-23

　　极性：P沟道

　　门极电荷(@4.5V)：典型值10 nC

　　门极-漏极电荷：2.6 nC

　　导通电阻(@4.5V)：最大50 mΩ

　　热阻(JA)：最大100 K/W

　　特色功能：小功率

　　最大结温：150°C

　　最大漏源电压：-12 V

　　门源电压阈值：最小-0.55 V，最大-0.95 V至-0.4 V

　　门极电压：最大8 V

　　IRLML6401TRPBF以其高性能、可靠性和易于集成的特点，非常适合用于各种低功耗和低频率的开关应用，如电源管理、电机控制和电池供电设备。深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司，优势分销Infineon英飞凌部分产品线，快速交付，欢迎联系。

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