中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

  • Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

    发布时间：2025-05-29 09:00:32     浏览：956

    　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引脚封装，低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)，具有雪崩能力，气密封装，适用于高可靠性应用。

    Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

    　　主要参数

    　　漏源电压(VDS)：1200V

    　　连续漏极电流(ID)：25°C时为17A

    　　导通电阻(RDS(on))：25°C时为160mΩ

    　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.8V~3.6V

    　　最大功耗(PD)：97W

    　　工作温度(TJ)：-55°C~+175°C

    　　体二极管特性

    　　正向电压(VSD)：4.25V

    　　反向恢复时间(trr)：34ns

    　　反向恢复电荷(Qrr)：197nC

    　　应用领域

    　　开关电源

    　　DC-DC转换器

    　　PFC电路

    　　电机驱动

    　　机器人控制

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询新葡萄AMG创展。

    推荐资讯

    • Q-Tech具有4点安装5x7晶体振荡器
      Q-Tech具有4点安装5x7晶体振荡器 2021-05-10 17:13:32

      Q-Tech?的5X7mm含有4点安装晶体振荡器，在极其小的封装中提供最先进性的冲击和振动灵敏度。Q-Tech振荡器采用4点晶体安装，这也是空间应用所必需的（至少3点）。

    • Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面贴装振荡器
      Statek CXOXULPHT 32.768kHz表面贴装振荡器 2025-01-20 09:03:22

      Statek CXOXULPHT 32.768 kHz振荡器实现低功耗运行，采用调谐叉设计，具备最快启动时间与紧凑频率稳定性，专为超低电流（典型55 ?A）和快速启动（典型2 ms）应用打造，能在高达 +200°C高温运行且抗冲击性强。其主要特点有高温操作、超低电流、快速启动、高冲击抗性、低老化、CMOS输出等多项优势，产品设计制造于美国且提供全面军事测试。该振荡器适用于工业领域多种设备，规格参数涵盖频率、电源电压、校准容差、频率稳定性、输出负载、老化、冲击、振动及工作温度范围等多方面指标 。

    在线留言

    在线留言
    【网站地图】【sitemap】