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Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间：2025-05-29 09:00:32     浏览：1826

　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引脚封装，低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)，具有雪崩能力，气密封装，适用于高可靠性应用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

　　主要参数

　　漏源电压(VDS)：1200V

　　连续漏极电流(ID)：25°C时为17A

　　导通电阻(RDS(on))：25°C时为160mΩ

　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.8V~3.6V

　　最大功耗(PD)：97W

　　工作温度(TJ)：-55°C~+175°C

　　体二极管特性

　　正向电压(VSD)：4.25V

　　反向恢复时间(trr)：34ns

　　反向恢复电荷(Qrr)：197nC

　　应用领域

　　开关电源

　　DC-DC转换器

　　PFC电路

　　电机驱动

　　机器人控制

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询新葡萄AMG创展。

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