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    • BSS52 TO-39封装NPN达林顿晶体管Solitron Devices

    发布时间：2025-10-14 08:59:41     浏览：425

    　　Solitron Devices BSS52是一款 NPN 达林顿晶体管，专为工业高增益放大器设计，具有高电流、低电压特性，并集成二极管和电阻。它是飞利浦(Philips)的第二来源产品，采用 TO-39 金属封装，适用于严苛的工业环境。

    Solitron Devices BSS52 NPN达林顿晶体管

    　　关键特性

    　　高电流能力：连续集电极电流 1A，峰值可达 2A。

    　　高电压耐受：

    　　集电极-发射极电压(VCES)80V

    　　集电极-基极电压(VCBO)90V

    　　集成保护：内置二极管和电阻，简化电路设计。

    　　高直流增益(hFE)：

    　　典型值 1000~2000(VCE=10V, IC=150mA~500mA)。

    　　热稳定性：

    　　结温(Tj)范围 -65°C 至 +200°C。

    　　热阻：结到环境(Rth j-a)220K/W，结到外壳(Rth j-c)35K/W。

    　　极限参数

    　　集电极-基极电压(VCBO):90V

    　　集电极-发射极电压(VCES):80V

    　　发射极-基极电压(VEBO):5V

    　　集电极电流(IC)：1A(连续), 2A(峰值)

    　　功耗(Ptot)：0.8W(环境25°C) / 5.0W(外壳25°C)

    　　电气特性(Typical @25°C)

    　　饱和压降：

    　　VCE(sat): 1.3V(IC=500mA, IB=0.5mA)

    　　VBE(sat): 1.65V(IC=500mA)

    　　开关性能：

    　　开启时间(ton): 1μs(IC=500mA)

    　　关断时间(toff): 5μs(IC=1A)

    　　截止电流：

    　　集电极漏电流(ICES): 50nA(VCE=80V)

    　　封装尺寸：TO-39封装，直径12.7~14.2mm，高度 6.22~6.60mm。

    更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询新葡萄AMG创展。

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