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    • 安森美NXH020F120MNF1低热阻SiC MOSFET功率�？�

    发布时间：2025-10-30 09:26:33     浏览：345

    　　安森美(onsemi)的NXH020F120MNF1是一款 M1 SiC MOSFET 功率�？椋渲邪桓� 20 mohm/1200V SiC MOSFET 全桥和一个 F1 �？橹械� NTC 热敏电阻。NXH020F120MNF1 的推荐栅极电压为 18V – 20V，具有低热阻的 4-PACK 全桥拓扑结构，以及带或不带预涂层热界面材料 (TIM) 的选项，支持压接引脚，是一种无铅、无卤化物的器件，符合 RoHS 标准。

    　　NXH020F120MNF1 提高了 RDS(开)在更高的电压下，提高效率或功率密度，是高可靠性热接口的灵活解决方案，可广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电动汽车充电站、工业电源、AC-DC转换、DC-AC转换、DC-DC转换。常见的终端产品包括电动汽车充电器、储能系统(ESS)、三相太阳能逆变器、不间断电源等。

    安森美NXH020F120MNF1SiC MOSFET功率�？�

    　　性能对比：


    		SiC（NXH020F120MNF1）传统硅基IGBT
    耐压1200V600~1200V
    导通损耗超低（20mΩ @25°C）较高（50~100mΩ）
    开关速度极快（ns级开关）较慢（μs级开关）
    高温性能支持175°C结温通常限制在150°C
    系统效率更高（>98%）一般（95~97%）

    深圳市新葡萄AMG创展科技有限公司优势提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC电源转换器�？榧疤蓟�(SiC)产品，欢迎咨询了解。

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