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LA-MachXO汽车系列
LA-MachXO汽车器件系列经过优化，可满足传统上由cpld和低容量fpga解决的应用需求:粘合逻辑、总线桥接、总线接口、上电控制和控制逻辑。这些器件在AEC-Q100测试和合格版本的单芯片上汇集了CPLD和FPGA器件的最佳功能。
该器件使用查找表(lut)和嵌入式块存储器，传统上与fpga相关联，以实现灵活高效的逻辑实现。通过非易失性技术，这些器件提供了传统cpld所具有的单芯片、高安全性和瞬时启动功能。最后，先进的工艺技术和精心的设计将提供与cpld相关的高引脚对引脚性能。
Lattice的ispLEVER?设计工具允许使用LAMachXO汽车系列设备有效地实施复杂的设计。流行的逻辑合成工具为LAMachXO提供了合成库支持。ispLEVER工具使用综合工具输出及其平面图工具的约束，在LA-MachXO设备中放置和布线设计。ispLEVER工具从路由中提取时间，并将其反向注释为本设计进行时序验证。
| Device | LAMXO256E/C | LAMXO640E/C | LAMXO1200E | LAMXO2280E |
| LUTS | 256 | 640 | 1200 | 2280 |
| Dist.RAM(Kbits | 2.0 | 6.0 | 6.25 | 7.5 |
| EBR SRAM (Kbits | 0 | 0 | 9.2 | 27.6 |
| Number of EBR SRAM Blocks (9 Kbits | 0 | 0 | 1 | 3 |
| Voc Voltage | 1.2/1.8/2.5/3.3V | 1.2/1.8/2.5/3.3V | 1.2 | 1.2 |
| Number of PLLs | 0 | 0 | 1 | 2 |
| Max.I/0 | 78 | 159 | 211 | 271 |
| Packages | ||||
| 100-pin Lead-Free TGFP(14x14 mm) | 78 | 74 | 73 | 73 |
| 144-pin Lead-Free TQFP (20x20 mm) | 113 | 113 | 113 | |
| 256-ball Lead-Free ftBGA (17x17 mm | 159 | 211 | 211 | |
| 324-ball Lead-Free ftBGA (19x19 mm | 271 | |||
订购信息：
| Part Number | LUTs | Supply Voltage | l/Os | Grade | Package | Pins | Temp |
| LAMXO256C-3TN100E | 256 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 78 | -3 | Lead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640C-3TN100E | 640 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 74 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640C-3TN144E | 640 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO640C-3FTN256E | 640 | 1.8V/2.5 V/3.3 V | 159 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO256E-3TN100E | 256 | 1.2 V | 78 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640E-3TN100E | 640 | 1.2 V | 74 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO640E-3TN144E | 640 | 1.2 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO640E-3FTN256E | 640 | 1.2 V | 159 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO1200E-3TN100E | 1200 | 1.2 V | 73 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO1200E-3TN144E | 1200 | 1.2 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO1200E-3FTN256E | 1200 | 1.2 V | 211 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO2280E-3TN100E | 2280 | 1.2 V | 73 | -3 | ead-Free TOFP | 100 | AUTO |
| LAMXO2280E-3TN144E | 2280 | 1.2 V | 113 | -3 | ead-Free TOFP | 144 | AUTO |
| LAMXO2280E-3FTN256E | 2280 | 1.2V | 211 | -3 | ead-Free ftBGA | 256 | AUTO |
| LAMXO2280E-3FTN324E | 2280 | 1.2 V | 271 | -3 | ead-Free ftBGA | 324 | AUTO |
特性
·非易失性，无限可重构
·立即启动-在微秒内启动
·单芯片，不需要外部配置内存
·卓越的设计安全性，无比特流拦截
·在毫秒内重新配置基于SRAM的逻辑
·SRAM和非易失性存储器可通过JTAG端口编程
·支持非易失性存储器的后台编程
·经AEC-Q100测试合格
·睡眠模式
·允许高达100倍的静态电流减少
·TransFR?Reconfiguration (TFR)
·系统运行时现场逻辑更新
高I/O到逻辑密度
· 256 ~ 2280 lut4
· 73至271 I/ o与广泛的包选项
· 支持密度迁移
· 无铅/符合RoHS标准的包装
嵌入式和分布式内存
高达27.6 Kbits的systemm?嵌入式块RAM
高达7.5 Kbits的分布式RAM
·专用FIFO控制逻辑
灵活的I/O缓冲
可编程sysIO?缓冲器支持广泛的接口:
·lvcmos 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
·LVTTL
·PCI
·LVDS, Bus-LVDS, LVPECL, RSDS
sysCLOCK?锁相环
每个设备最多两个模拟锁相环
时钟倍增、除法、移相
系统级支持
IEEE标准1149.1边界扫描
·板载振荡器
设备工作在3.3 V, 2.5 V, 1.8V或1.2 V电源
符合IEEE 1532的系统编程
