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650V CoolMOS? CFD7 SJ功率MOSFET集成了快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想选择
英飞凌的650V CoolMOS? CFD7 超结 MOSFET采用 TO-65 封装的 IPP090R7CFD220 非常适合工业应用中的谐振拓扑结构，例如服务器,电信,太阳的和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显着提高效率。作为CFD2 SJ MOSFET半导体场效应管系列，它具有更低的栅极电荷、改进的关断行为和更低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。
订购信息：
| Type / Ordering Code | Package | Marking | Related Links |
| IPP65R090CFD7 | PG-T0220-3 | 65R090F7 | see Appendix A |
功能概要
超快体二极管和极低的 Q 值RR型
650V击穿电压
与竞争产品相比，开关损耗显著降低
最低 RDS(开)与温度的关系
好处
出色的硬换向坚固性
为总线电压增加的设计提供额外的安全裕度
提高功率密度
在工业SMPS应用中具有出色的轻载效率
提高工业SMPS应用中的满载效率
与市场上的替代产品相比，价格竞争力
潜在应用
电动汽车快速充电
服务器电源
太阳能系统解决方案
电信基础设施
Parametrics
| Parametrics | IPP65R090CFD7 |
|---|---|
| ID (@25°C) max | 25 A |
| ID max | 25 A |
| IDpuls max | 107 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min max | -55 °C 150 °C |
| Ptot max | 127 W |
| Package | TO-220 |
| Pin Count | 3 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 53 nC |
| QG | 53 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 90 m? |
| RDS (on) max | 90 m? |
| VDS max | 650 V |
| VGS(th) min max | 4 V 3.5 V 4.5 V |
