中国·新葡萄(8883·AMG)官方网站 - Ultra Platform

供应Connor-Winfield温度补偿晶体振荡器TCXO

发布时间：2023-12-20 16:04:44     浏览：782

　　TCXO是温度补偿晶体振荡器(Temperature Compensated Crystal Oscillator)的简称，它是一种用于精确时钟信号和频率稳定性的电子元件。Connor-Winfield是一家美国公司，专门生产和提供各种类型的晶体振荡器和时钟产品。

　　温度补偿晶体振荡器(TCXO)是为了解决普通晶体振荡器在不同温度下频率漂移的问题而设计的。一般来说，普通的晶体振荡器在温度变化时会导致频率的偏移，而TCXO通过使用温度传感器和相应的补偿电路来调整振荡器的频率，以实现温度稳定性。这样就可以在不同的环境温度下保持较为准确和稳定的振荡频率。

　　Connor-Winfield的TCXO产品具有高精度、低相噪声、高稳定性等特点，可广泛应用于通信设备、卫星导航系统、无线电设备、工业自动化等领域。封装类型具有Clipped Sine 和/或HCMOS输出和商业到扩展或 工业温度范围。

　　产品选型：

　　3.2x2.5mm 表面贴装型

零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
C1x 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.5 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不适用低成本
C3x 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不适用低成本
CAx 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.8 Vdc10 MHz 至 40 MHz-30 至 85°C不适用低成本
D32G
TCXO系列Clipped SinewaveSM 3.2x2.5毫米+/-0.5ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc16.368MHz、19.2MHz、26MHz、32.736MHz-30 至 85°C不适用低成本


　　5x3.2mm 表面贴装型

零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
D53G
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc20 兆赫、26 兆赫-30 至 85C不适用不适用
M100F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz0 至 70C不适用不适用
M170F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz-20 至 70C不适用不适用
M200F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz、24.576 MHz 和 40 MHz-40 至 85C不适用不适用
M30x
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用第 3 层
M31x TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用固定频率
M32x TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用固定频率
M4 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm2.5 Vdc6.4 至 40 MHz-30 至 85C不适用固定频率
M50 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用第 3 层
M51 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用固定频率
M52 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用固定频率
M60 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不适用国际电联
M61 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不适用固定频率
M62 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-40 至 85C不适用固定频率
M632TCXO系列LVCMOS公司SM 5x3.2毫米+/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 至 50 MHz-40 至 85C不适用不适用
M7 TCXO 系列TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm 至 +/-2.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-30 至 85C不适用固定频率
M70 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.28ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用国际电联
M71 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-0.5ppm+/-4.6ppm不适用3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用固定频率
M72 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x3.2毫米+/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用固定频率


　　5x7mm 表面贴装型

零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
CSB1x系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.20ppm不适用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-40 至 55C不适用Cospas-Sarsat信标 C/S T.001 C/S T.007
CSB21
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.20ppm不适用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-20 至 55C不适用Cospas-Sarsat信标 C/S T.001 C/S T.007
CSB2x系列
TCXO系列LVCMOS/Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.20ppm不适用+/-0.5ppm3.3 Vdc10兆赫、12.68875兆赫、12.688375兆赫、12.688656兆赫、16.367兆赫-20 至 55C不适用Cospas-Sarsat信标 C/S T.001 C/S T.007
D75A
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc10兆赫、12.8兆赫、19.2兆赫、20兆赫0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
D75AS
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.25ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc20兆赫0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
D75F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.5ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc13 兆赫、19.44 兆赫、25 兆赫、27 兆赫0 至 70C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
D75J
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-1.0ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc38.88兆赫，40兆赫，50兆赫0 至 70C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
DV75C
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 Mhz、12.8 MHz、20 MHz、25MHz 和 40MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
DV75D
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-1.0ppm不适用+/-1.0ppm3.3 Vdc10 兆赫、12.8 兆赫、20 兆赫-40 至 85C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
T100F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz0 至 70C不适用小基站，G.8262
T200F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz-40 至 85C不适用小基站，G.8262
T200FA
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.20ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10.0兆赫-40 至 105C不适用提高性能
T3x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
T3x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
T5x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
T5x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
T602
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 50 MHz-40 至 85C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
T602A
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10.0MHz 和 24.576MHz-40 至 105C不适用提高性能
T6x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 54 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
T6x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 54 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
T7x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 54 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
T7x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 54 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
TA5 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-5.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz0 至 70C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
TA6 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-5.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz-40 至 85C不适用家庭基站， 测量， 仪器仪表， RTC， G.813Opt 1
TB602
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 Mhz 至 50 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
TCXO-EVAL-T BOARD
TCXO系列LVCMOS/HCMOS/正弦波SM 5x7mm不适用不适用不适用3.3 或 5.0 Vdc5x7mm T 系列 TCXO 和 VCTCXO 评估板-40 至 85C不适用STRATUM 3E 层
TV100F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-100ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz0 至 70C不适用IEEE1588，小基站，G.8262
TV200F
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-200ppb+/-3.0ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、14.7456 MHz、19.2 MHz、20 MHz、24.576 MHz、25 MHz、40 MHz 和 50 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588，小基站，G.8262
TV5x2 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
TV5x3 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz0 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
TV6x2 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
TV6x3 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 40 MHz-40 至 85C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
TV7x2 TCXO 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 Mhz 至 40 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV
TV7x3 TCXO 系列
TCXO系列Clipped SinewaveSM 5x7mm+/-0.28ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 40 MHz-20 至 70C不适用IEEE1588、STRATUM3、G.8262、G.812选项 IV


9x14mm 表面贴装型

零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
DOT050F 
TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-50ppb+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc10 MHz、12.8 MHz、19.2 MHz、19.44 MHz、20 MHz0 至 70C不适用精密 TCXO
TFxD5 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 100 MHz0 至 70C不适用固定频率
TFxD6 系列
TCXO系列LVCMOS公司SM 9x14mm+/-0.25ppm 至 +/-1.0ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 MHz 至 100 MHz-40 至 85C不适用固定频率

　　

14 针 DIP

零件编号产品类型逻辑系列封装频率稳定性频率容差频率校准电源电压频率范围温度范围拉力范围关键词
TX14-xx03T
TCXO系列LVCMOS公司14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100.0 MHz0 至 70C不适用提高性能
TX14-xx04T
TCXO系列Clipped Sinewave14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz0 至 70C不适用提高性能
TX14-xx07T
TCXO系列正弦波14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz0 至 70C不适用提高性能
TX14-xx13T
TCXO系列LVCMOS公司14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100 MHz-20 至 70C不适用提高性能
TX14-xx14T
TCXO系列Clipped Sinewave14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-20 至 70C不适用提高性能
TX14-xx17T
TCXO系列正弦波14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-20 至 70C不适用提高性能
TX14-xx23T
TCXO系列LVCMOS公司14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc1.0 至 100 MHz-40 至 85C不适用提高性能
TX14-xx24T
TCXO系列Clipped Sinewave14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-40 至 85C不适用提高性能
TX14-xx27T
TCXO系列正弦波14 针 DIP+/-0.28ppm 至 +/-2.5ppm+/-4.6ppm+/-1.0ppm3.3 Vdc6.4 至 100 MHz-40 至 85C不适用提高性能

更多Connor-Winfield晶振产品可咨询新葡萄AMG创展。

相关推荐：

供应Connor-Winfield温度补偿晶体振荡器TCXO 

供应Connor-Winfield压控温度补偿晶体振荡器VCTCXO 

供应Connor-Winfield压控晶体振荡器VCXO 

供应Connor-Winfield恒温晶体振荡器OCXO 

供应Connor-Winfield压控恒温晶体振荡器VCOCXO

供应Connor-Winfield时钟同步发生器 

供应Connor-Winfield频率转换�？�


推荐资讯

  • JANTX1N6642,1N6638,1N6643军级开关信号二极管Microsemi
    JANTX1N6642,1N6638,1N6643军级开关信号二极管Microsemi 2024-11-22 10:33:34

    1N6638、1N6642和1N6643是一系列经过军事认证的无空洞密封开关二极管，以其超快速恢复时间、极低电容和冶金键合结构而著称，适用于高速开关应用，如计算机外围设备和网络接口，同时提供出色的热性能和环境适应性，并有符合RoHS标准的版本可选。

  • Murata村田小型隔离式DC-DC转换器的性能特点
    Murata村田小型隔离式DC-DC转换器的性能特点 2024-01-25 09:08:24

    IGBT通常用于大功率逆变器和转换器电路，需要大量的隔离栅极驱动功率才能实现最佳开关。硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）MOSFET的栅极驱动也有类似的要求。本文将为您介绍与村田制作所推出的IGBT/MOSFET相匹配的小型隔离式DC-DC转换器的性能特点。

在线留言

在线留言
【网站地图】【sitemap】