Öйú¡¤ÐÂÆÏÌÑ(8883¡¤AMG)¹Ù·½ÍøÕ¾ - Ultra Platform

Solitron 2N5911/2N5912˫ͨµÀN¹µµÀJFET

·¢²¼Ê±¼ä£º2024-06-18 09:08:59     ä¯ÀÀ£º574

¡¡¡¡Solitron 2N5911/2N5912˫ͨµÀN¹µµÀJFETÊÇרΪ¿í´ø²î·Ö·Å´óÆ÷¶øÉè¼ÆµÄÆ÷¼þ¡£TO-78·â×°Ãܷ⣬ÊÊÓÃÓÚ¾üÊÂÓ¦Ó㬾ßÓж¨Öƹæ¸ñºÍ¿ÉÑ¡µÄÆ¥ÅäºÍ°ü×°Ñ¡Ïî¡£TX¡¢TXVÒÔ¼°S¼¶É¸Ñ¡¶¼¿Éͨ¹ý×Éѯ¹¤³§»ñµÃ¡£

Solitron 2N5911/2N5912˫ͨµÀN¹µµÀJFET

¡¡¡¡ÆäÖ÷ÒªÌØµã°üÀ¨£º

¡¡¡¡1. µÍÔëÉùˮƽ£º4.0 nV/¡ÌHz (µäÐÍÖµ)

¡¡¡¡2. µÍ©µçÁ÷£ºÐ¡ÓÚ10pA (µäÐÍÖµ)

¡¡¡¡3. µÍÊäÈëµçÈÝ£º5.0 pF(µäÐÍÖµ)

¡¡¡¡ÕâÐ©ÌØµãʹµÃSolitron 2N5911/2N5912ÔÚÐèÒª¸ßÐÔÄÜ¡¢µÍÔëÉùÒÔ¼°µÍ©µçÁ÷µÄ¹ã·ºÓ¦ÓÃÖоßÓгöÉ«±íÏÖ£¬ÌرðÊÊÓÃÓÚÒªÇó¸ß¶È¾«È·µÄ¿í´ø²î·Ö·Å´óÆ÷µÄ³¡ºÏ¡£Èç¹ûÐèÒª¸ü¶àÐÅÏ¢»ò¶¨ÖÆÐèÇ󣬽¨ÒéÖ±½ÓÁªÏµ¹¤³§½øÐÐ×Éѯ¡£

PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT
Reverse Gate Source and Gate Drain Voltage    V
    RS
-25V
Continuous Forward Gate Curren    '650mA
Continuous Device Power Dissipation P?250mW
Power Derating   P4.3mW/¡æ
Operating Junction Temperature¹¤-55 to 150¡æ
Storage Temperature   SIG-65 to 200¡æ

Solitron ÊÇÊÀ½çÁìÏȵıê×¼ QPL JAN/JANTX/JANTXV СÐźŠJFET ÖÆÔìÉÌ¡£Solitron µÄ JFET ²úÆ·¾ßÓе͵¼Í¨µç×è¡¢µÍµçÈÝ¡¢Á¼ºÃµÄ¸ôÀëºÍ¿ìËÙ¿ª¹ØµÈÌØµã¡£¸ß·øÉäÄÍÊÜÐԺͿռ伶´¦ÀíʹÆä³ÉΪÎÀÐÇÓ¦ÓõÄÀíÏëÑ¡Ôñ¡£ÐÂÆÏÌÑAMG´´Õ¹ÊÚȨ´úÀíSolitron ²úÆ·£¬¼Û¸ñÓŻݣ¬»¶Ó­×Éѯ¡£

ÍÆ¼ö×ÊѶ

  • Linear Systems PAD50DFNµÍ©µçÁ÷¶þ¼«¹Ü
    Linear Systems PAD50DFNµÍ©µçÁ÷¶þ¼«¹Ü 2025-03-19 09:16:12

    Linear Systems PAD-DFN ϵÁеÍ©µçÁ÷¶þ¼«¹Ü¾ßÓи߷´Ïò»÷´©µçѹ£¨¡Ý-30V£©¡¢µÍ·´ÏòµçÈÝ£¨¡Ü2.0pF£©¡¢µÍ©µçÁ÷£¨×î´ó·´Ïò©µçÁ÷¸ù¾ÝÐͺŲ»Í¬£¬PAD5DFN Ϊ -5pA£¬PAD50DFN Ϊ -50pA£©ÒÔ¼°¸ß¿É¿¿ÐÔ£¨²ÉÓà 8 Òý½Å DFN ·â×°£¬Ìå»ýСÇÒ·Ç´ÅÐÔ£©£¬ÆäÁ¬Ðø¹¦ºÄ¿É´ï 300mW£¬¹¤×÷½áη¶Î§Îª -55¡ãC ÖÁ +150¡ãC¡£¸ÃϵÁжþ¼«¹ÜÊÊÓÃÓÚÔËËã·Å´óÆ÷±£»¤ºÍ²ÉÑù±£³Öµç·µÈ³¡¾°£¬Ìṩ¶àÖÖ·â×°Ðͺţ¨Èç DFN¡¢TO-72¡¢TO-92¡¢SOT-23 µÈ£©£¬Âú×㲻ͬӦÓÃÐèÇó¡£

  • PDI L4ϵÁÐʯӢ¾§ÌåÕñµ´Æ÷
    PDI L4ϵÁÐʯӢ¾§ÌåÕñµ´Æ÷ 2024-10-09 09:44:32

    PDI L4ϵÁÐʯӢ¾§ÌåÕñµ´Æ÷ÌṩÃÜ·âʯӢ¾§ÌåºÍ¶àÖÖ·â×°Ñ¡Ï֧³Ö¿Í»§¶¨ÖÆÆµÂʺͲÎÊý¡£ÆäƵÂÊ·¶Î§¹ã£¬Îȶ¨ÐԸߣ¬¾ßÓж¨ÖÆµÄÆµÂÊÈݲî¡¢µÈЧ´®Áªµç×èºÍ¸ºÔصçÈÝ£¬ÀÏ»¯Âʵͣ¬³ß´ç½ô´Õ£¬ÊÊÓÃÓÚͨÐÅ¡¢Ò½ÁÆ¡¢¹¤Òµ¿ØÖÆ¡¢Æû³µºÍÏû·Ñµç×ӵȶà¸öÁìÓò¡£

ÔÚÏßÁôÑÔ

ÔÚÏßÁôÑÔ

¡¾ÍøÕ¾µØÍ¼¡¿¡¾sitemap¡¿