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PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X压控晶体振荡器VCXO
2024-11-11 09:39:07
PDI VC29系列VCXO可在苛刻环境下精确输出频率，适用于低噪、低抖、高振环境。规格涵盖尺寸、频率范围、输出模式、稳定性、温度、电压等。性能参数包括调频范围、噪声、启动时间、输出电压、电流消耗。有4 - 6引脚配置，特定包装材料，符合相关标准，适用于通信、精密仪器、工业自动化设备等。
Infineon英飞凌P沟道功率MOSFET
2024-11-11 09:27:06
Infineon的P沟道功率MOSFET系列专为中低功率应用设计，具有空穴流载流子、负栅极电压需求、简化设计和广泛电压等级等特点，优化电路设计并易于获取。提供多种封装类型，广泛应用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC转换器和低压驱动等领域，包括工业和汽车应用，特别是车规级产品。
CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面贴装CMOS时钟振荡器Connor Winfield
2024-11-08 09:22:56
CWX8xx系列固定频率晶体控制振荡器采用5.0x7.0mm表面贴装封装，适用于高频率稳定性和低抖动应用，工作电压为3.3V或5.0V，频率稳定性为±25ppm或±50ppm，温度范围为-20至70°C，频率范围为1.0至156.25MHz，负载电容为15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存储温度为-55至125°C，采用密封陶瓷封装，符合RoHS标准的无铅焊接。
IRLML6401TRPBF：12V单通道P沟道功率MOSFET
2024-11-08 09:15:26
IRLML6401TRPBF是一款由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET，采用SOT-23封装，专为低功耗和低频率应用设计，具备宽广的安全工作区域、行业标准认证、低频应用中的高性能等特点，适用于DC开关、负载开关等应用，技术规格包括最大漏极电流-4.3A、导通电阻最大50mΩ等，非常适合电源管理、电机控制和电池供电设备。
Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶体管3.3-5.0GHz
2024-11-07 09:03:57
Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射频功率晶体管，专为3400 MHz至3800 MHz频率范围内的基站应用设计。其特点包括紧凑的8 mm x 8 mm QFN封装、5G mMIMO优化、高效率Doherty配置、宽带操作、内部匹配设计以及优秀的数字预失真能力。适用于多载波应用，提供高带宽和高数据速率，技术参数包括110W名义输出功率、48V漏源电压、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏极效率。
Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二进制MOS电容器
2024-11-06 09:09:59
Vishay CBA系列MOS电容器有两种总电容版本，电容以二进制增量在0.25 pF - 15 pF间配置，提供多种选择。该电容器可线焊，采用特定介质和基板，尺寸�。糜谖⒉ǖ缏坊旌戏庾啊Ｆ涞缙娓窈枪ぷ鞯缪�、损耗因数、Q值、温度系数和工作温度范围等。
Broadcom PEX88048：50通道PCIe Gen 4.0交换机
2024-11-05 09:06:19
Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交换机，具备50个通道和端口，支持高速数据传输、低延迟和灵活的fabric拓扑结构，特别适合数据中心和云服务提供商。它具备嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架构、48个DMA通道、消除PCIe拓扑限制、专为NVMe AFA系统设计、生命周期活跃功能、双管理端口、低功耗SerDes等特性，旨在构建高性能、低延迟、可扩展的PCIe fabrics。
Q-TECH QTCV356系列小型化SMD电压控制晶体振荡器
2024-11-04 09:04:41
QTCV356系列VCXOs（压控晶体振荡器）是一款集成了5Vdc或3.3Vdc时钟方波发生器和微型条形AT石英晶体的低高度陶瓷封装振荡器，适用于低电压应用。其主要特性包括宽频率范围（1.000MHz到156.250MHz）、小尺寸（3.2 x 5mm）、支持HCMOS、LVHCMOS、LVPECL逻辑类型、5.0Vdc或3.3Vdc供电电压、-40?C到+85?C的工作温度范围、Tri-State输出、密封陶瓷封装、基本和第三泛音设计、符合MIL-PRF-55310标准的军事级筛选测试，以及无铅和RoHS合规。该系列产品广泛应用于枪械发射弹药和系统、智能弹药、仪器仪表、以太网/同步、SONET、微处理器时钟等领域。
Delta HCME1012(F)系列电感器
2024-11-01 09:35:05
Delta的HCME1012(F)系列电感器在电子设计中发挥关键作用，适用于电源管理、信号过滤等领域。该系列提供70 nH至330 nH的电感值，低直流电阻（33 mΩ）、高饱和电流（178 A），工作温度范围宽（-40℃至125℃），精度±10%至±15%。其紧凑尺寸（10.0x6.0~6.2x12.0mm）和严格的质量控制确保了在多种应用中的高效率和可靠性。
Bliley高性能BOCSE系列非PLL晶体振荡器
2024-11-01 09:23:34
Bliley的BOCSE系列非PLL晶体振荡器稳定性和精确度高，符合高端市场需求，适用于军事、仪器仪表等多领域。它采用2.5x2.0mm封装，符合军用标准，频率1.5 - 170MHz，温度稳定性±25 - ±100ppm，电源电压多样，工作温宽（-55°C - +125°C）。具有响应快、输出稳、相位噪声和抖动低等性能，通过多项测试且包装安全。
LS94,SST94单通道P沟道JFET开关Linear Systems
2024-11-01 09:18:08
LS94和SST94是Linear Systems公司生产的单通道P沟道JFET开关，专为超低噪声音频/声学应用设计，可直接替代Toshiba 2SJ94。它们具有高跨导（22 mS）、高输入阻抗（1 nA）、低电容（32 pF）和多种封装形式（TO-92、SOT-89、裸片）。电气特性包括栅极到漏极击穿电压25V、栅极到源极开启电压0.15V至2V、漏源饱和电流-30 μA至-2.6 mA等。这些特性使得LS94和SST94成为高增益放大应用中的理想选择，尤其在高输入阻抗和低噪声需求场合。
X-1620NL SMT信号隔离变压器iNRCORE
2024-10-31 09:02:02
iNRCORE X-1620NL是一款专为恶劣环境设计的小尺寸信号隔离表面贴装变压器，具备高隔离电压（至少3kVrms）、宽工作温度范围（-55°C至+125°C）、耐用材料（锡/铅结构）和湿度敏感性等级3级。其电气规格包括匝比1CT:1CT（±2%精度）、初级电感至少1mH、最大0.8Ω直流电阻、最大1.2mH漏感、最大25pF绕组间电容和最大10pF初级电容。物理特性为1.16g重量和10.03 × 8.89 × 6.85mm尺寸，适合空间受限的应用。该变压器在高温、湿度和高电压隔离方面表现卓越，适用于工业控制、汽车电子和通信设备等高环境适应能力需求场景。
Ampleon ART1K6PH LDMOS功率晶体管1600W
2024-10-31 08:59:06
Ampleon的ART1K6PH LDMOS射频功率晶体管是一款专为工业、科学和医疗(ISM)应用、广播和通信市场设计的1600W高功率器件，频率范围覆盖1MHz至450MHz。其核心特性包括高击穿电压、宽带操作、简易功率控制、集成ESD保护以及高效率与热稳定性，适用于等离子体发生器、MRI系统、粒子加速器、FM无线电、VHF电视、非蜂窝通信和UHF雷达系统等多种应用。技术参数显示其在高功率输出下具有优异的功率增益和漏极效率，封装形式为OMP-1230-4F-1，支持回流/波峰焊接。
Statek SWCX4V/SWCX4石英晶体
2024-10-30 09:23:55
Statek公司的SWCX4V和SWCX4晶体专为抗辐射应用设计，采用高温电扫工艺的培养石英，能耐受超过100 krad的辐射剂量，保持频率稳定。特点包括高冲击电阻、超高可靠性、客户定制设计、低老化率、严格的无尘室生产工艺，适用于军用和航天级应用，如卫星系统、太空探索任务和深空探测器。
Connor-Winfield 93600-XXXX系列表面贴装高频VCXO
2024-10-30 09:00:38
Connor-Winfield 93600-xxxx系列是一款5.0 x 3.2mm高频基频表面贴装晶体，专为高频VCXO设计，适用于大规模生产。其特点包括温度稳定性±25ppm，工作温度范围-40至85°C，中心频率70-300 MHz，并联电容5.0 pF，动态电容4.0 fF，等效串联电阻25 Ohm，负载电容20 pF，驱动电平100 μW，符合RoHS标准。
FMCE-1528 EMI滤波器Interpoint
2024-10-30 08:56:33
Interpoint? FMCE-1528 EMI滤波器专为降低高频DC-DC转换器的输入纹波电流设计，符合军用标准MIL-STD-461C/D/E/F。它在紧凑封装中提供高达15A的电流，工作温度范围为-55°C至+125°C，输入电压范围为0.5至50V，能有效减少500 kHz和1 MHz时的噪声，典型衰减达70 dB。
BFP196WH6327XTSA1低噪声硅RF晶体管Infineon英飞凌
2024-10-28 09:01:28
BFP196WH6327XTSA1是一款低噪声硅射频(RF)晶体管，适用于高频率和低噪声放大应用，如无线通信、射频前端和多种通信设备。其关键特性包括集电极电流范围20-80mA、频率高达1.5GHz、低噪声和低失真、无铅环保、AEC-Q101认证等。参数如最大增益19dB、最大集电极电流150mA、最小噪声系数1.3dB、封装SOT343等，使其特别适合高线性和高效率的射频放大器设计。
Solitron碳化硅电源模块
2024-10-28 08:58:35
Solitron公司的硅碳化物（SiC）半导体功率�？椋糜谔嵘缭从τ枚喾矫嫘阅�。有多种关键特性，产品系列多样，包括半桥、全桥和PowerMOD系列，应用于开关模式电源、逆变器、电池充电器、执行器和电机控制等领域。
Solitron双极功率晶体管40-700V
2024-10-25 08:57:30
Solitron公司是一家拥有50多年历史的领先双极型功率晶体管制造商，产品覆盖40V至700V的电压范围，包括N沟道和P沟道类型，符合JAN/JANTX/JANTXV标准，并提供S级等效筛选服务和定制封装配置。适用于电源管理、电机控制、音频放大器等多种电子应用，封装选项包括TO-3、TO-5、TO-39、TO-66、TO-111(带引脚)、TO-254、TO-257和TO-258等，以及定制化的有引线或无引线的表面贴装封装。
Lattice ispMACH 4000ZE系列超低功耗可编程逻辑器件（CPLD）
2024-10-24 09:02:46
Lattice的ispMACH 4000ZE系列是一款1.8V在系统可编程超低功耗可编程逻辑器件(CPLD)，专为功耗敏感的消费类电子应用设计。该系列具备高性能（最大工作频率260MHz，传播延迟4.4ns）、易用性（灵活的宏单元和全局控制）、超低功耗（待机电流10?A）和广泛的设备选择（宏单元数量32至256）。此外，它支持多种I/O电压、热插拔、可编程输出斜率，并符合IEEE 1149.1和1532标准，适用于系统集成和自动化测试。

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